帮助中心
注册
登录
首页
按类别搜索
半导体
微控制器及处理器
无线通信IC
电脑及周边IC
存储器
光电子产品
传感器
标准线性IC
电源管理 IC
分立半导体
逻辑集成电路
其它半导体
无源元件
电容器
电阻器
电感器
变压器
滤波器
频率控制器
继电器
射频组件
其它无源元件
连接器
电线和PCB连接器
其他连接器
I/O连接器
按参数搜索
按制造商搜索
制造商
资源下载
原厂变更/停产通知
新品速递
首页
>
产品中心
>
半导体
>
分立半导体
>
金属氧化物场效应管
半导体
金属氧化物场效应管
结果
(16)
已应用过滤器:
产品中心
半导体
分立半导体
金属氧化物场效应管
筛选结果:
'+goods_num+'
制造商制造
AOS
产品名称
AOCA32116E
AOCA32108E
AO3162
AOCA36116C
AOCA32107E
AOCA32301
AOCA32112E
AO3160
AO3160E
AOCA33104E
AOCA24106E
AO4296
AOCA24108E
AOCA24106C
AO4294A
AO4306
生命周期
量产
不推荐新设计使用
封装
AlphaDFN1.2x1.2
AlphaDFN3.01x1.52B
SOT23-3
AlphaDFN3.2x2.1
AlphaDFN3.01x1.52A
AlphaDFN1.90x1.30A
AlphaDFN0.97x0.97C
SOT23A-3
AlphaDFN2.98x1.49
AlphaDFN1.9x1.6
SO-8
AlphaDFN1.79x1.18
最大漏源电压VDS (V)
20
12
600
24
30
100
最大栅源电压Vgs (V)
12
8
30
16
20
最大持续漏极电流Id (A)
6
25
0.034
30
22
9
4.5
0.04
20
13.5
14
11.5
最大通态阻抗(@VGS=10V ) (mΩ)
500000
18
8.300000000000001
12
3.1
典型开启电压Vgs(th) (V)
1.3
1.1
4.1
1.2
1.9
3.2
2.3
2.5
15.5
典型的接通延迟时间TD(on) (nS)
0.5
1.3
13.8
1.4
1.2
9
200
4
2.2
8
2.5
全选
图片
料号
制造商
规格描述
类别
RoHS指令
生命周期
规格书下载
AOCA36116C
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA33104E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA32301
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA32116E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA32112E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA32108E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA32107E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA24108E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA24106E
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AOCA24106C
AOS
金属氧化物场效应管
量产
AO4306
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SO8,30V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
不推荐新设计使用
AO4296
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SO8,100V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
量产
AO4294A
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SO8,100V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
不推荐新设计使用
AO3162
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SOT23A-3,600V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
量产
AO3160
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SOT23A-3,600V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
量产
AO3160E
AOS
MOS, 单通道,N沟道,SOT23A-3,600V
金属氧化物场效应管
符合RoHS
量产