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DRAM(动态随机存取存储器)
半导体
DRAM(动态随机存取存储器)
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存储器
DRAM(动态随机存取存储器)
筛选结果:
'+goods_num+'
制造商制造
Micron(美光)
产品名称
MT40A1G16RC-062E IT:B
MT40A2G8VA-062E IT:B
MT40A2G8JC-062E:E
MT40A512M16LY-075:E
MT40A512M16LY-075:E TR
MT40A512M16LY-062E IT:E TR
MT40A512M16LY-062E IT:E
MT40A1G8SA-062E IT:E
MT40A256M16LY-062E AIT:F
MT40A256M16LY-062E AAT:F
MT40A512M16LY-062E AAT:E
MT40A512M16LY-062E AUT:E
MT40A256M16LY-062E AUT:F
MT40A1G16RC-062E:B
MT40A1G16KD-062E:E
MT40A256M16LY-062E:F TR
MT40A1G8SA-075:E
MT40A2G4SA-075:E
MT40A256M16LY-062E:F
MT40A1G16KNR-075:E
MT40A512M16LY-062E AIT:E
MT40A1G16KNR-062E:E
MT40A512M16TB-062E:J TR
MT40A512M16LY-062E:E
MT40A1G8SA-062E:E
生命周期
量产
管脚数量
96
78
封装
FBGA-96
FBGA-78
结构(configuration)
1 G x 16
2 G x 8
512 M x 16
1 G x 8
256 M x 16
2 G x 4
类型(type)
SDRAM - DDR4
容量
16 Gbit
8 Gbit
4 Gbit
数据总线宽度 (bit)
16 bit
8 bit
4 bit
供电电压
1.26 V
1.2 V
最大时钟频率
1600 MHz
1333 MHz
全选
图片
料号
制造商
规格描述
类别
RoHS指令
生命周期
规格书下载
MT40A1G16KNR-075:E
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 1GMX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
量产
MT40A1G8SA-075:E
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 1GMX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
量产
MT40A2G4SA-075:E
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 2GX4 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
量产
MT40A256M16LY-062E:F
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
量产
MT40A256M16LY-062E:F TR
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
量产
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