制造商
Micron(美光)

30 多年来,理想远大、富有远见、科学严谨的美光团队重新诠释了“创新”的概念,设计并开发出了世界顶尖的存储和半导体技术。我们开发的各项技术将无限可能化为现实。事实上,你可能每天都在各种产品中用到我们的存储:从计算、网络和服务器应用,到移动、嵌入式、消费类、汽车和工业设计。 作为全球专利持有数量最多的公司之一,我们不断反思、重塑和推进全新理念,将创新技术推广到更广大的市场中。此外,我们还不断探寻新方法,让我们的技术能够激发新应用诞生或从根本上改进现有设计。 存储是我们的根基所在,也是我们的核心业务优势。展望未来,我们仍将兼顾核心存储业务以及各种有助于在新市场中推进创新并实现发展的产品和技术,利用这两者的协同效应在以往成就的基础上再创辉煌。

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料号
制造商
规格描述
类别
RoHS指令
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Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 1GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 1GMX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 8G 2GX4 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
Micron(美光)
DRAM DDR4 16G 1GMX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1