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料号
制造商
规格描述
类别
RoHS指令
生命周期
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NTCDS3UG942HC3NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 9.395kOhm 3% B25/85:3940K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3HG103HC3NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 10kOhm 3% B25/85:3400K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS4AG303HC3NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 30kOhm 3% B25/85:4000K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS4AG502HC4NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 5kOhm 3% B25/85:4000K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3HG103HC4NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 10kOhm 3% B25/85:3400K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3KG203HC4NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 20kOhm 3% B25/85:3500K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS4AG303HC4NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 30kOhm 3% B25/85:4000K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3KG203HC3NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 20kOhm 3% B25/85:3500K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3SG104HC3NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 100kOhm 3% B25/85:3850K
热敏电阻
符合RoHS
1
NTCDS3SG104HC4NB
TDK
NTC Thermistors AEC-Q200 100kOhm 3% B25/85:3850
热敏电阻
符合RoHS
1
MT40A1G16RC-062E IT:B
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A2G8VA-062E IT:B
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A2G8JC-062E:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-075:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-062E IT:E TR
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-062E IT:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 1GX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A256M16LY-062E AIT:F
Micron（美光）
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A256M16LY-062E AAT:F
Micron（美光）
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
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