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料号
制造商
规格描述
类别
RoHS指令
生命周期
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MT40A512M16LY-062E AAT:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-062E AUT:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A256M16LY-062E AUT:F
Micron（美光）
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G16RC-062E:B
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G16KD-062E:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A256M16LY-062E:F TR
Micron（美光）
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G8SA-075:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 1GMX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A2G4SA-075:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 2GX4 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A256M16LY-062E:F
Micron（美光）
DRAM DDR4 4G 256MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G16KNR-075:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 1GMX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-062E AIT:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G16KNR-062E:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 16G 1GMX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16TB-062E:J TR
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A512M16LY-062E:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
MT40A1G8SA-062E:E
Micron（美光）
DRAM DDR4 8G 1GMX8 FBGA
DRAM(动态随机存取存储器)
符合RoHS
1
SST26VF080A-104I/SN
微芯科技（Microchip)
NOR Flash 8Mb, 2.3V to 3.6V, SPI,SDI,SQI, 104MHz, I temp, 8-SOIC
NOR闪存
符合RoHS
1
W25Q128JWSIQ
Winbond（华邦）
NOR Flash spiFlash, 128M-bit
NOR闪存
符合RoHS
1
W25Q64JWSSIQ
Winbond（华邦）
NOR Flash spiFlash, 64M-bit
NOR闪存
符合RoHS
1
W25Q64JVSSIM
Winbond（华邦）
NOR Flash spiFlash, 64M-bit
NOR闪存
符合RoHS
1
W25Q16JVSSIQ TR
Winbond（华邦）
NOR Flash spiFlash, 16M-bit
NOR闪存
符合RoHS
1
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